MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 42 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 145-8839
- Codice costruttore:
- IRFS4615TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
636,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 0,795 € | 636,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-8839
- Codice costruttore:
- IRFS4615TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 42mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 144W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 9.65 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 42mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 144W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 26nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 9.65 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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