MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5894
Codice costruttore:
IRF540NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

71nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 33 A, dissipazione di potenza massima di 130 W - IRF540NSTRLPBF


Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per garantire efficienza e affidabilità in un'ampia gamma di applicazioni. Caratterizzato da una configurazione a canale N, funziona in modalità enhancement con una corrente di drain continua massima di 33A e una tensione di breakdown di 100V. Il suo design a montaggio superficiale consente una semplice integrazione nei circuiti stampati, aumentando la versatilità nelle applicazioni moderne.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa Rds(on) di 44mΩ migliora l'efficienza del circuito

• L'elevata capacità di dissipazione di potenza di 130 W supporta applicazioni robuste

• La velocità di commutazione riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento

• L'ampia gamma di temperature operative da -55°C a +175°C si adatta a diversi ambienti

• La costruzione senza piombo aderisce agli standard ambientali contemporanei

Applicazioni


• Gestione dell'alimentazione nei sistemi di automazione

• Alimentatori ad alta efficienza per l'elettronica

• Il controllo dei motori nell'ingegneria elettrica

• Sistemi di energia rinnovabile per una conversione efficace dell'energia

Qual è la tensione massima gate-to-source per questo dispositivo?


La tensione massima gate-to-source è di ±20V e consente un funzionamento sicuro nei circuiti tipici.

Come gestisce questo dispositivo la gestione termica?


Con una potenza massima dissipata di 130 W e una resistenza termica tra giunzione e involucro di 1,15 °C/W, gestisce efficacemente il calore durante il funzionamento.

Qual è la carica tipica del gate a 10V?


La carica tipica del gate a una tensione gate-source di 10 V è di 71 nC, garantendo tempi di risposta rapidi nelle applicazioni di commutazione.

Questo dispositivo può essere montato su PCB standard?


Sì, è stato progettato in un pacchetto D2PAK, che lo rende adatto ad applicazioni di montaggio superficiale su layout PCB standard.

Qual è il significato della modalità di potenziamento in questo MOSFET?


La modalità di potenziamento consente un maggiore controllo sullo stato di conduzione, fornendo prestazioni migliori nelle applicazioni di commutazione.

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