MOSFET Infineon, canale N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, A-262, Foro passante

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Codice RS:
907-5028
Codice costruttore:
IRF540NLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

A-262

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

71nC

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.83mm

Altezza

9.65mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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