MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF540NPBF

Visualizza MOSFET
Temporaneamente esaurito
Codice RS:
914-8154
Codice costruttore:
IRF540NPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

71nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Altezza

8.77mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET della serie HEXFET di Infineon, corrente continua di drenaggio massima di 33 A, tensione di alimentazione di drenaggio massima di 100 V - IRF540NPBF


Questo MOSFET è progettato per fornire efficienti capacità di commutazione e gestione della potenza in varie applicazioni elettroniche. Il dispositivo funziona con una corrente di drain continua massima di 33A e una tensione massima drain-source di 100V. Alloggiato in un contenitore TO-220AB, questo componente è adatto sia per usi industriali che commerciali, garantendo longevità e affidabilità in una vasta gamma di condizioni ambientali.

Caratteristiche e vantaggi


• Utilizza un'elaborazione avanzata per una bassa resistenza all'accensione

• Supporta velocità di commutazione elevate per un funzionamento efficiente

• Completamente classificato per le valanghe per una maggiore affidabilità in condizioni difficili

• Offre un'ampia gamma di tensioni di soglia del gate per una maggiore flessibilità

• Progettato per il montaggio a foro passante per una facile installazione

Applicazioni


• Ideale per la commutazione ad alta corrente negli alimentatori

• Utilizzato nei sistemi di automazione e controllo

• Adatto ai circuiti di controllo e pilotaggio dei motori

• Efficace negli inverter e nei convertitori per sistemi di energia rinnovabile

Qual è il significato del basso RDS(on) in questo dispositivo?


Un basso RDS(on) migliora l'efficienza riducendo la perdita di potenza durante il funzionamento, consentendo una migliore gestione termica e migliorando le prestazioni complessive nelle applicazioni ad alta corrente.

In che modo la funzionalità della modalità di potenziamento influenza il suo utilizzo?


La modalità di potenziamento consente un funzionamento a bassa corrente fino all'applicazione di una specifica tensione di gate, rendendola affidabile per le applicazioni di commutazione in cui è essenziale un controllo preciso.

Qual è l'importanza del design del contenitore TO-220AB?


Il contenitore TO-220AB garantisce un'efficace dissipazione del calore, supportando elevati livelli di dissipazione di potenza e mantenendo la facilità di montaggio in varie configurazioni circuitali.

Come si comporta questo MOSFET a temperature estreme?


Funzionando efficacemente tra -55°C e +175°C, è progettato per mantenere le prestazioni in ambienti difficili, garantendo l'affidabilità anche in condizioni difficili.

Per quali tipi di applicazioni di commutazione è adatto?


È adatto per l'alimentazione di carichi in applicazioni che richiedono una commutazione rapida, come i sistemi di azionamento dei motori, i convertitori di potenza e vari circuiti di controllo elettronico.

Link consigliati