MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF540NPBF

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Codice RS:
914-8154
Codice costruttore:
IRF540NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

71nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.69 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET della serie HEXFET di Infineon, corrente continua di drenaggio massima di 33 A, tensione di alimentazione di drenaggio massima di 100 V - IRF540NPBF


Questo MOSFET è progettato per fornire efficienti capacità di commutazione e gestione della potenza in varie applicazioni elettroniche. Il dispositivo funziona con una corrente di drain continua massima di 33A e una tensione massima drain-source di 100V. Alloggiato in un contenitore TO-220AB, questo componente è adatto sia per usi industriali che commerciali, garantendo longevità e affidabilità in una vasta gamma di condizioni ambientali.

Caratteristiche e vantaggi


• Utilizza un'elaborazione avanzata per una bassa resistenza all'accensione

• Supporta velocità di commutazione elevate per un funzionamento efficiente

• Completamente classificato per le valanghe per una maggiore affidabilità in condizioni difficili

• Offre un'ampia gamma di tensioni di soglia del gate per una maggiore flessibilità

• Progettato per il montaggio a foro passante per una facile installazione

Applicazioni


• Ideale per la commutazione ad alta corrente negli alimentatori

• Utilizzato nei sistemi di automazione e controllo

• Adatto ai circuiti di controllo e pilotaggio dei motori

• Efficace negli inverter e nei convertitori per sistemi di energia rinnovabile

Qual è il significato del basso RDS(on) in questo dispositivo?


Un basso RDS(on) migliora l'efficienza riducendo la perdita di potenza durante il funzionamento, consentendo una migliore gestione termica e migliorando le prestazioni complessive nelle applicazioni ad alta corrente.

In che modo la funzionalità della modalità di potenziamento influenza il suo utilizzo?


La modalità di potenziamento consente un funzionamento a bassa corrente fino all'applicazione di una specifica tensione di gate, rendendola affidabile per le applicazioni di commutazione in cui è essenziale un controllo preciso.

Qual è l'importanza del design del contenitore TO-220AB?


Il contenitore TO-220AB garantisce un'efficace dissipazione del calore, supportando elevati livelli di dissipazione di potenza e mantenendo la facilità di montaggio in varie configurazioni circuitali.

Come si comporta questo MOSFET a temperature estreme?


Funzionando efficacemente tra -55°C e +175°C, è progettato per mantenere le prestazioni in ambienti difficili, garantendo l'affidabilità anche in condizioni difficili.

Per quali tipi di applicazioni di commutazione è adatto?


È adatto per l'alimentazione di carichi in applicazioni che richiedono una commutazione rapida, come i sistemi di azionamento dei motori, i convertitori di potenza e vari circuiti di controllo elettronico.

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