MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 33 mΩ Miglioramento, 62 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPP330P10NMAKSA1

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Codice RS:
235-4860
Codice costruttore:
IPP330P10NMAKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

IPP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

-189nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.36mm

Altezza

4.57mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.95 mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET Infineon OptiMOS™ P-Channel 100V in contenitore TO-220 rappresentano la nuova tecnologia destinata alla gestione della batteria, all'interruttore di carico e alle applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La sua facile interfaccia con MCU, la commutazione rapida e la robustezza a valanga lo rendono adatto per applicazioni impegnative di alta qualità. È disponibile in versione normale con un'ampia gamma RDS(ON) e migliora l'efficienza a carichi bassi grazie alla bassa Qg. Viene utilizzato nella gestione delle batterie, nell'automazione industriale.

Ideale per frequenze di commutazione alte e basse

Resistenza alle valanghe

Contenitore a montaggio superficiale con ingombro standard industriale

Prestazioni robuste e affidabili

Maggiore sicurezza dell'approvvigionamento

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