MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 9 mΩ Miglioramento, 62 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
913-4036
Codice costruttore:
IRLB8721PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.6nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.83 mm

Altezza

9.02mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET della serie HEXFET di Infineon, tensione massima di alimentazione di drenaggio 30 V, corrente di drenaggio continua massima 62 A - IRLB8721PBF


Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione ad alte prestazioni adatto a varie applicazioni nel campo dell'elettronica e dell'automazione. Con un robusto contenitore TO-220AB, ha una capacità di corrente di drain continua di 62A e può gestire una tensione massima drain-source di 30V. Il dispositivo funziona in modo efficiente in un'ampia gamma di temperature, da -55°C a +175°C, rendendolo adatto agli ambienti più difficili.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta convertitori buck sincroni ad alta frequenza

• Progettato per l'uso efficiente di correnti elevate

• Completamente caratterizzato per tensione e corrente di valanga

• La carica minima del gate migliora le prestazioni di commutazione

• Le versatili opzioni di montaggio semplificano l'integrazione nei progetti

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi UPS e inverter

• Efficace nei convertitori DC-DC isolati ad alta frequenza

• Adatto per il raddrizzamento sincrono in soluzioni industriali

• Componente chiave degli alimentatori per processori di computer

Qual è il significato della bassa Rds(on) del dispositivo?


Il basso valore di Rds(on) riduce significativamente le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva nelle applicazioni di conversione di potenza, un fattore cruciale per mantenere le prestazioni nelle operazioni ad alta corrente.

In che modo la tensione massima di soglia del gate influisce sulle prestazioni del dispositivo?


L'intervallo di tensione di soglia del gate, compreso tra 1,35V e 2,35V, garantisce che il dispositivo possa essere controllato in modo affidabile in varie applicazioni, offrendo flessibilità nell'integrazione con diversi circuiti di pilotaggio.

Quali sono le considerazioni da fare per la gestione termica delle applicazioni?


Data la potenza massima dissipata di 65W, è necessario implementare adeguate strategie di gestione termica, come l'uso di un dissipatore di calore adatto, per evitare il surriscaldamento e garantire un funzionamento affidabile.

Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche?


Sì, è stato progettato per funzionare efficacemente in ambienti ad alta temperatura, rendendolo adatto alle applicazioni automobilistiche in cui la variabilità termica è un problema.

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