MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 180 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPA60R180C7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4642
Codice costruttore:
IPA60R180C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS™ C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. Il modello 600V C7 è la prima tecnologia mai realizzata con RDS(ON)*A inferiore a 1Ohm*mm².

In grado di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Eccellente robustezza di commutazione

Adatto per applicazioni di grado standard in conformità agli standard JEDEC

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