MOSFET Infineon, canale N, 33 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 495-562
Codice costruttore:: IRFB4332PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 33 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro

Prezzo per Unità**

1,31 €

(IVA esclusa)

1,60 €

(IVA inclusa)

1909 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità
1 +	1,31 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 495-562
Codice costruttore:: IRFB4332PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	60 A
Tensione massima drain source	250 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	390 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	4.82mm
Lunghezza	10.66mm
Carica gate tipica @ Vgs	99 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	9.02mm
Minima temperatura operativa	-40 °C

MOSFET Infineon, canale N, 33 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon

MOSFET per controllo di motori

MOSFET raddrizzatore sincrono

Link consigliati