- Codice RS:
- 495-562
- Codice costruttore:
- IRFB4332PBF
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 17/05/2024.
Aggiunto
Prezzo per Unità
3,46 €
(IVA esclusa)
4,22 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 9 | 3,46 € |
10 - 24 | 3,28 € |
25 - 49 | 3,14 € |
50 - 99 | 3,00 € |
100 + | 2,80 € |
- Codice RS:
- 495-562
- Codice costruttore:
- IRFB4332PBF
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon
MOSFET per controllo di motori
Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.
MOSFET raddrizzatore sincrono
La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 60 A |
Tensione massima drain source | 250 V |
Serie | HEXFET |
Tipo di package | TO-220AB |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 33 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 5V |
Tensione di soglia gate minima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 390 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Carica gate tipica @ Vgs | 99 nC a 10 V |
Lunghezza | 10.66mm |
Larghezza | 4.82mm |
Materiale del transistor | Si |
Altezza | 9.02mm |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
- Codice RS:
- 495-562
- Codice costruttore:
- IRFB4332PBF
- Costruttore:
- Infineon