MOSFET Infineon, canale N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 15 A, 3 Pin, PG-TO-220, Foro passante

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Codice RS:
273-7457
Codice costruttore:
IPA600N25NM3SXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

PG-TO-220

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di Infineon è ideale per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono. Questo MOSFET è testato a valanga al 100% e qualificato secondo lo standard JEDEC. Si tratta di un MOSFET a canale N e privo di alogeni in conformità a IEC61249 2 21.

Placcatura senza piombo

Conforme a RoHS

Eccellente carica di gate

Resistenza di accensione molto bassa

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