MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 250 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

7,10 €

(IVA esclusa)

8,70 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2290 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 400,71 €7,10 €
50 - 900,601 €6,01 €
100 - 2400,558 €5,58 €
250 - 9900,544 €5,44 €
1000 +0,535 €5,35 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-3006
Codice costruttore:
IPD25DP06NMATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

28W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Standard automobilistico

No

I MOSFET a canale P Infineon in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia mirata per la gestione della batteria, l'interruttore di carico e le applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. La sua facile interfaccia con l'MCU, la commutazione rapida e la robustezza antivalanga lo rendono adatto

Facile interfaccia con MCU

Efficienza migliorata a carichi bassi grazie al basso Qg

Commutazione rapida

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.