MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 250 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie

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Codice RS:
273-3006
Codice costruttore:
IPD25DP06NMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

28W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Standard automobilistico

No

I MOSFET a canale P Infineon in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia mirata per la gestione della batteria, l'interruttore di carico e le applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. La sua facile interfaccia con l'MCU, la commutazione rapida e la robustezza antivalanga lo rendono adatto

Facile interfaccia con MCU

Efficienza migliorata a carichi bassi grazie al basso Qg

Commutazione rapida

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