MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V Miglioramento, -18.6 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie

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Codice RS:
273-2832
Codice costruttore:
SPD18P06PGBTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-18.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-TO252-3

Serie

SPD18P06P G

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.33V

Dissipazione di potenza massima Pd

80W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

40mm

Larghezza

40mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Quello di Infineon è un MOSFET a canale P, in modalità potenziamento. La sua temperatura di esercizio è di 175 °C. Questo MOSFET è qualificato secondo lo standard AEC Q101.

Conforme a RoHS

Testato a valanga

Placcatura senza piombo

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