MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V Miglioramento, -18.6 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

6,06 €

(IVA esclusa)

7,395 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
In magazzino
  • Più 50 unità in spedizione dal 19 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,212 €6,06 €
50 - 951,082 €5,41 €
100 - 2450,84 €4,20 €
250 +0,824 €4,12 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-2832
Codice costruttore:
SPD18P06PGBTMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-18.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SPD18P06P G

Tipo di package

PG-TO252-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

80W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Tensione diretta Vf

1.33V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

40 mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

Lunghezza

40mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Quello di Infineon è un MOSFET a canale P, in modalità potenziamento. La sua temperatura di esercizio è di 175 °C. Questo MOSFET è qualificato secondo lo standard AEC Q101.

Conforme a RoHS

Testato a valanga

Placcatura senza piombo

Link consigliati