MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V Miglioramento, -18.6 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie
- Codice RS:
- 273-2832
- Codice costruttore:
- SPD18P06PGBTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2832
- Codice costruttore:
- SPD18P06PGBTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -18.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PG-TO252-3 | |
| Serie | SPD18P06P G | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.33V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 80W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Larghezza | 40 mm | |
| Lunghezza | 40mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -18.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PG-TO252-3 | ||
Serie SPD18P06P G | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.33V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 80W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | ||
Altezza 1.5mm | ||
Larghezza 40 mm | ||
Lunghezza 40mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Quello di Infineon è un MOSFET a canale P, in modalità potenziamento. La sua temperatura di esercizio è di 175 °C. Questo MOSFET è qualificato secondo lo standard AEC Q101.
Conforme a RoHS
Testato a valanga
Placcatura senza piombo