MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 90 mΩ Miglioramento, -16.4 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie

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Codice RS:
273-3012
Codice costruttore:
IPD900P06NMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-16.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

-27nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

I MOSFET a canale P Infineon in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia mirata per la gestione della batteria, l'interruttore di carico e le applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione in ambito

Facile interfaccia a MCU

Con commutazione rapid

Resistenza alle valanghe

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