MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie IPD046N08N5ATMA1

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Codice RS:
273-2783
Codice costruttore:
IPD046N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un MOSFET a canale N da 80 V. È ideale per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono. Questo MOSFET possiede una temperatura di esercizio di 175 °C. Questo MOSFET è qualificato secondo JEDEC1 per applicazioni target ed è privo di alogeni in conformità a IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Eccellente carica di gate

Resistenza di accensione molto bassa

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