MOSFET Infineon, canale N 80 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie
- Codice RS:
- 273-2784
- Codice costruttore:
- IPD046N08N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2784
- Codice costruttore:
- IPD046N08N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | PG-TO252-3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package PG-TO252-3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Quello di Infineon è un MOSFET a canale N da 80 V. È ideale per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono. Questo MOSFET possiede una temperatura di esercizio di 175 °C. Questo MOSFET è qualificato secondo JEDEC1 per applicazioni target ed è privo di alogeni in conformità a IEC61249 2 21.
Conforme a RoHS
Placcatura senza piombo
Eccellente carica di gate
Resistenza di accensione molto bassa
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