MOSFET Infineon, canale N, 33 mΩ, 57 A, TO247AC, Su foro

Codice RS:: 688-7008
Codice costruttore:: IRFP4332PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 33 mΩ, 57 A, TO247AC, Su foro

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Codice RS:: 688-7008
Codice costruttore:: IRFP4332PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET N Plasma HEXFET 250V 57A TO247AC
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	57 A
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	TO247AC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	360 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	5.3mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	99 nC a 10 V
Lunghezza	15.9mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	20.3mm
Minima temperatura operativa	-40 °C

MOSFET Infineon, canale N, 33 mΩ, 57 A, TO247AC, Su foro

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