MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 80 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante AIMW120R080M1XKSA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

13,87 €

(IVA esclusa)

16,92 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 46 unità in spedizione dal 31 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 413,87 €
5 - 913,17 €
10 - 2412,91 €
25 - 4912,07 €
50 +11,23 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-3491
Codice costruttore:
AIMW120R080M1XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione diretta Vf

5.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.3mm

Altezza

5.3mm

Larghezza

21.5 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET Infineon CoolSiC per il settore automobilistico sono stati sviluppati per caricabatterie di bordo e applicazioni c.c.-c.c. attuali e futuri in veicoli ibridi ed elettrici. Ha una corrente di drain di 33 A.

Miglioramento dell'efficienza

Attivazione di una frequenza più elevata

Densità di potenza aumentata

Riduzione dello sforzo di raffreddamento

Link consigliati