MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 105 mΩ Miglioramento, 33 A, 4 Pin, Hip-247, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

23,12 €

(IVA esclusa)

28,21 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 30 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +23,12 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-973
Codice costruttore:
SCTWA40N12G24AG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCTWA40N12G24AG

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

105mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

290W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

3.4V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di seconda generazione della ST. Il dispositivo presenta una resistenza di accensione notevolmente bassa per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

Link consigliati