MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 700 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, Hip-247, Superficie SCTW40N120G2V

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Codice RS:
219-4227
Codice costruttore:
SCTW40N120G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

SCTW40N

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione diretta Vf

3.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.15mm

Altezza

20.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SIC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

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