MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 105 mΩ Miglioramento, 33 A, 4 Pin, Hip-247, Foro passante SCTWA40N12G24AG

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Codice RS:
214-972
Codice costruttore:
SCTWA40N12G24AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

SCTWA40N12G24AG

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

105mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Dissipazione di potenza massima Pd

290W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Tensione diretta Vf

3.4V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di seconda generazione della ST. Il dispositivo presenta una resistenza di accensione notevolmente bassa per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

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