MOSFET STMicroelectronics, canale N, 100 mΩ, 45 A, HiP247, Su foro

Codice RS:: 168-8966
Codice costruttore:: SCT30N120
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 100 mΩ, 45 A, HiP247, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)**

18,073 €

(IVA esclusa)

22,049 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
30 +	18,073 €	542,19 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-8966
Codice costruttore:: SCT30N120
Costruttore:: STMicroelectronics

SCT30N120, Silicon Carbide Power MOSFET 45A, 1200V, 90mOhm N-Channel in HiP247
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	45 A
Tensione massima drain source	1200 V
Tipo di package	HiP247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	270 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +25 V
Lunghezza	15.75mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+200 °C
Larghezza	5.15mm
Carica gate tipica @ Vgs	105 nC a 20 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	3.5V
Altezza	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 100 mΩ, 45 A, HiP247, Su foro

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MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N, STMicroelectronics

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