MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 100 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante

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Codice RS:
168-8966
Codice costruttore:
SCT30N120
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

270W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

105nC

Tensione diretta Vf

3.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

5.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET al carburo di silicio (SiC) presentano una resistenza statica drain-source a stato attivo molto bassa per il valore nominale di 1200 V unita ad eccellenti prestazioni di commutazione, che si traducono in sistemi più efficienti e compatti.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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