MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTW35N65G2V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
201-0860
Codice costruttore:
SCTW35N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCTW35

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

5.15mm

Altezza

15.75mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

14.8mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics 650V ha una corrente nominale di 45A e una resistenza da drain a source di 45m Ohm. Ha una bassa resistenza in stato attivo per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

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