MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTW35N65G2V

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

13,60 €

(IVA esclusa)

16,59 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 847 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 413,60 €
5 - 913,22 €
10 - 2412,88 €
25 - 4912,55 €
50 +12,24 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
201-0860
Codice costruttore:
SCTW35N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SCTW35

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

14.8mm

Altezza

15.75mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics 650V ha una corrente nominale di 45A e una resistenza da drain a source di 45m Ohm. Ha una bassa resistenza in stato attivo per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

Link consigliati