MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 67 mΩ Miglioramento, 45 A, 4 Pin, Hip-247, Foro passante SCTWA35N65G2V-4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-0473
Codice costruttore:
SCTWA35N65G2V-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V-4

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

67mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

3.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Altezza

5.1mm

Lunghezza

20.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

21.1 mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Basse capacità

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

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