MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 119 A, 4 Pin, Hip-247, Superficie SCTWA90N65G2V-4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
213-3945
Codice costruttore:
SCTWA90N65G2V-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

119A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SCTWA90N65G2V-4

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

2.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

157nC

Dissipazione di potenza massima Pd

656W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Altezza

5.1mm

Lunghezza

15.9mm

Larghezza

21.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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