MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 119 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTW90N65G2V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
201-0887
Codice costruttore:
SCTW90N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

119A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SCTW90

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

2.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

157nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

18V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

565W

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

15.75mm

Altezza

20.15mm

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics 650V ha una corrente nominale di 119A e una resistenza da drain a source di 18m Ohm. Ha una bassa resistenza in stato attivo per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 175 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

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