MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 119 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTW90N65G2V

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

25,08 €

(IVA esclusa)

30,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 925,08 €
10 - 9924,77 €
100 - 59924,47 €
600 +24,17 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
201-0887
Codice costruttore:
SCTW90N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

119A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCTW90

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

565W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

157nC

Tensione diretta Vf

2.5V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

15.75mm

Altezza

20.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics 650V ha una corrente nominale di 119A e una resistenza da drain a source di 18m Ohm. Ha una bassa resistenza in stato attivo per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 175 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.