MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 650 V, 27 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, HIP-247-3, Foro passante

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Codice RS:
719-468
Codice costruttore:
SCT018W65G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

HIP-247-3

Serie

SCT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

398W

Tensione diretta Vf

2.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

5.15mm

Altezza

20.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q101

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Carica gate estremamente bassa e capacità di ingresso estremamente bassa

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