MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 27 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, HIP-247-3, Foro passante

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Codice RS:
719-468
Codice costruttore:
SCT018W65G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

HIP-247-3

Serie

SCT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Dissipazione di potenza massima Pd

398W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Tensione diretta Vf

2.6V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

15.75mm

Larghezza

5.15 mm

Altezza

20.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q101

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Carica gate estremamente bassa e capacità di ingresso estremamente bassa

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