MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 700 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, Hip-247, Superficie SCTW40N120G2V

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

14,27 €

(IVA esclusa)

17,41 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 31 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 414,27 €
5 - 914,09 €
10 - 2413,92 €
25 +13,75 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-4228
Codice costruttore:
SCTW40N120G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCTW40N

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione diretta Vf

3.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

20.15mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SIC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Link consigliati