MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 700 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, Hip-247, Superficie SCTW40N120G2V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-4228
Codice costruttore:
SCTW40N120G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCTW40N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

3.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.75mm

Altezza

20.15mm

Larghezza

5.15 mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SIC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

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