MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 700 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, Hip-247, Superficie SCTW40N120G2V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-4228
Codice costruttore:
SCTW40N120G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

SCTW40N

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione diretta Vf

3.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.15mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SIC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

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