MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 100 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCT30N120
- Codice RS:
- 907-4741
- Codice costruttore:
- SCT30N120
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
20,24 €
(IVA esclusa)
24,69 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 3 unità per ottenere la consegna gratuita
Ultimi pezzi su RS
- 10 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Ultime 316 unità in spedizione dal 25 febbraio 2026
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 20,24 € |
| 5 - 9 | 19,24 € |
| 10 - 24 | 17,32 € |
| 25 + | 17,21 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 907-4741
- Codice costruttore:
- SCT30N120
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 45A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 105nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 270W | |
| Tensione diretta Vf | 3.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 45A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 105nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 270W | ||
Tensione diretta Vf 3.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N, STMicroelectronics
I MOSFET al carburo di silicio (SiC) presentano una resistenza statica drain-source a stato attivo molto bassa per il valore nominale di 1200 V unita ad eccellenti prestazioni di commutazione, che si traducono in sistemi più efficienti e compatti.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 100 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 45 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 700 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 45 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante SCTW35N65G2V
- MOSFET STMicroelectronics 700 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SCTW40N120G2V
- MOSFET STMicroelectronics 70 mΩ 3 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 105 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 27 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
