MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 80 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-U07, Foro passante

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Codice RS:
351-925
Codice costruttore:
IMZC120R022M2HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

329W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

71nC

Tensione diretta Vf

5.5V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Larghezza

16mm

Lunghezza

23.5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET discreto Infineon CoolSiC da 1200 V, 22 mΩ G2 in un pacchetto TO-247 a 4 pin con elevato valore di dispersione si basa sui punti di forza della tecnologia di Generazione 1 con miglioramenti significativi che forniscono una soluzione avanzata per un sistema più ottimizzato in termini di costi, efficiente, compatto, facile da progettare e affidabile. Ha migliorato le prestazioni sia nel funzionamento hard-switching che nelle topologie soft-switching per tutte le combinazioni più comuni di stadi CA-CC, CC-CC e CC-CA.

Tempo di tenuta al cortocircuito di 2 μs

Tensione di soglia del gate di riferimento 4,2 V

Robustezza contro l'accensione parassita

Perdite di commutazione molto basse

Distribuzione dei parametri VGS(th) più stretta

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