MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 40 mΩ Miglioramento, 34 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-U07, Foro passante IMZC120R040M2HXKSA1

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Codice RS:
351-930
Codice costruttore:
IMZC120R040M2HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

IMZC120

Tipo di package

PG-TO-247-4-U07

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

218W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie IMZC120, dissipazione di potenza massima 218 W, tensione massima drain source 1200 V - IMZC120R040M2HXKSA1


Questo MOSFET a canale n con modalità di potenziamento è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per ambienti di conversione di potenza impegnativi. È progettato per il montaggio a foro passante in apparecchiature che richiedono una robusta capacità di blocco drain-to-source e una notevole gestione della corrente continua, funzionando in un ampio intervallo termico adatto per condizioni difficili.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 1200 V consente progetti ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 34 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• Il basso valore di Rds(on) di 40 mΩ riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 218 W per commutazione ad alta potenza
• La carica gate tipica di 39 nC consente un'energia di commutazione controllata
• Il pacchetto PG-TO-247-4 a foro passante semplifica l'assemblaggio del prototipo

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una grande capacità di corrente
• Ideale per inverter industriali e attività di commutazione
• Può essere utilizzato per i sistemi di ricarica delle batterie nelle apparecchiature pesanti
• Utilizzato per il collaudo e lo sviluppo dell'elettronica di potenza in laboratorio

Quali condizioni ambientali estreme può tollerare questo dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con forti variazioni di temperatura.

Quale tipo di contenitore e tipo di montaggio richiede su un circuito stampato?


Il dispositivo è fornito in un contenitore a foro passante PG-TO-247-4 progettato per il montaggio avvitato o saldato con dissipatore di calore appropriato.

In che modo il requisito di azionamento del gate influisce sulla progettazione della commutazione?


Con una carica gate tipica di 39 nC a Vgs nominali, i progettisti devono dimensionare i driver gate e le resistenze gate per bilanciare la velocità di commutazione e le EMI, tenendo conto della corrente di azionamento.

Quali sono i limiti elettrici da rispettare per evitare danni al dispositivo?


La tensione massima gate-sorgente è di 25 V e la tensione drain-sorgente è di 1200 V

questi valori assoluti non devono essere superati durante il funzionamento.

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