MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 69 mΩ Miglioramento, 49 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-U07, Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

18,64 €

(IVA esclusa)

22,74 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 240 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 918,64 €
10 - 9916,77 €
100 +15,47 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
351-927
Codice costruttore:
IMZC120R026M2HXKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

69mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

5.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Dissipazione di potenza massima Pd

289W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Lunghezza

23.5mm

Larghezza

16 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET discreto Infineon CoolSiC da 1200 V, 26 mΩ G2 in un pacchetto TO-247 a 4 pin con elevato valore di dispersione si basa sui punti di forza della tecnologia di Generazione 1 con miglioramenti significativi che forniscono una soluzione avanzata per un sistema più ottimizzato in termini di costi, efficiente, compatto, facile da progettare e affidabile. Ha migliorato le prestazioni sia nel funzionamento hard-switching che nelle topologie soft-switching per tutte le combinazioni più comuni di stadi CA-CC, CC-CC e CC-CA.

Tempo di tenuta al cortocircuito di 2 μs

Tensione di soglia del gate di riferimento 4,2 V

Robustezza contro l'accensione parassita

Perdite di commutazione molto basse

Distribuzione dei parametri VGS(th) più stretta

Link consigliati