MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 204 mΩ Miglioramento, 20 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-U07, Foro passante IMZC120R078M2HXKSA1

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Codice RS:
351-933
Codice costruttore:
IMZC120R078M2HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

IMZC120

Tipo di package

PG-TO-247-4-U07

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

204mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

143W

Tensione diretta Vf

5.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Lunghezza

23.5mm

Larghezza

16mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET discreto CoolSiC di Infineon con pacchetto ad elevato valore di dispersione si basa sui punti di forza della tecnologia di Generazione 1 con miglioramenti significativi che forniscono una soluzione avanzata per un sistema più ottimizzato in termini di costi, efficiente, compatto, facile da progettare e affidabile. Ha migliorato le prestazioni sia nel funzionamento hard-switching che nelle topologie soft-switching per tutte le combinazioni più comuni di stadi CA-CC, CC-CC e CC-CA.

Migliore efficienza energetica

Ottimizzazione del raffreddamento

Maggiore densità di potenza

Nuove caratteristiche di robustezza

Altamente affidabili

Facile parallelismo

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