MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 53 mΩ Miglioramento, 27 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-U07, Foro passante

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Codice RS:
351-931
Codice costruttore:
IMZC120R053M2HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

53mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-10 to 25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

182W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

5.5V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Larghezza

16 mm

Lunghezza

23.5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET discreto CoolSiC di Infineon con pacchetto ad elevato valore di dispersione si basa sui punti di forza della tecnologia di Generazione 1 con miglioramenti significativi che forniscono una soluzione avanzata per un sistema più ottimizzato in termini di costi, efficiente, compatto, facile da progettare e affidabile. Ha migliorato le prestazioni sia nel funzionamento hard-switching che nelle topologie soft-switching per tutte le combinazioni più comuni di stadi CA-CC, CC-CC e CC-CA.

Migliore efficienza energetica

Ottimizzazione del raffreddamento

Maggiore densità di potenza

Nuove caratteristiche di robustezza

Altamente affidabili

Facile parallelismo

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