MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 53 mΩ Miglioramento, 27 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-U07, Foro passante
- Codice RS:
- 351-931
- Codice costruttore:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 351-931
- Codice costruttore:
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 27A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 53mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 5.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 182W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -10 to 25 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Lunghezza | 23.5mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC47/20/22 | |
| Larghezza | 16 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 27A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 53mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 5.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 182W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -10 to 25 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Lunghezza 23.5mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC47/20/22 | ||
Larghezza 16 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET discreto CoolSiC di Infineon con pacchetto ad elevato valore di dispersione si basa sui punti di forza della tecnologia di Generazione 1 con miglioramenti significativi che forniscono una soluzione avanzata per un sistema più ottimizzato in termini di costi, efficiente, compatto, facile da progettare e affidabile. Ha migliorato le prestazioni sia nel funzionamento hard-switching che nelle topologie soft-switching per tutte le combinazioni più comuni di stadi CA-CC, CC-CC e CC-CA.
Migliore efficienza energetica
Ottimizzazione del raffreddamento
Maggiore densità di potenza
Nuove caratteristiche di robustezza
Altamente affidabili
Facile parallelismo