MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 12 mΩ Miglioramento, 91 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-U07, Foro passante IMZC120R012M2HXKSA1
- Codice RS:
- 351-922
- Codice costruttore:
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
24,71 €
(IVA esclusa)
30,15 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 200 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 24,71 € |
| 10 - 99 | 22,23 € |
| 100 + | 20,51 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 351-922
- Codice costruttore:
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 91A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Serie | IMZC120 | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-U07 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 124nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 480W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC47/20/22 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 91A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Serie IMZC120 | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-U07 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 124nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 480W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC47/20/22 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie IMZC120, tensione massima della sorgente di drenaggio di 1200 V, corrente di drenaggio continua massima di 91 A - IMZC120R012M2HXKSA1
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la conversione di potenza in ambienti difficili. È progettato per il montaggio a foro passante e si adatta ad applicazioni che richiedono una robusta capacità di tensione da drain a sorgente e una notevole gestione della corrente continua durante il funzionamento in ampi intervalli di temperatura.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tolleranza di drenaggio di 1200 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 91 A supporta la gestione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 12 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione massima di 480 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica a 124 nC bilancia la velocità di commutazione e lo sforzo di azionamento
• Il pacchetto PG-TO-247-4-U07 a 4 pin a foro passante semplifica il dissipatore di calore
• La corrente di drenaggio continua di 91 A supporta la gestione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 12 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione massima di 480 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica a 124 nC bilancia la velocità di commutazione e lo sforzo di azionamento
• Il pacchetto PG-TO-247-4-U07 a 4 pin a foro passante semplifica il dissipatore di calore
Applicazioni
• Adatto per inverter industriali ad alta tensione
• Ideale per gli alimentatori nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una commutazione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per moduli di conversione CC-CC ad alta tensione
• Adatto per piattaforme di test di alimentazione di laboratorio
• Ideale per gli alimentatori nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una commutazione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per moduli di conversione CC-CC ad alta tensione
• Adatto per piattaforme di test di alimentazione di laboratorio
Quali sono le considerazioni sull'azionamento del gate da tenere in considerazione?
Aspettarsi una carica gate tipica di 124 nC a Vgs nominali, quindi progettare driver gate in grado di generare e dissipare correnti di picco sufficienti per soddisfare le transizioni di commutazione desiderate senza ritardi eccessivi.
In che modo la gestione termica influisce sul tempo di attività a pieno carico?
Con una dissipazione di potenza massima di 480 W, un efficace dissipatore e un design di interfaccia termica sono necessari per mantenere la temperatura di giunzione entro i limiti durante il funzionamento prolungato ad alta potenza.
Esistono limitazioni sulla temperatura d'esercizio ambiente?
Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e ad alta temperatura quando viene applicato un design termico appropriato.
Quale metodo di montaggio è necessario per ottenere prestazioni ottimali?
È progettato per l'assemblaggio a foro passante in formato PG-TO-247-4-U07 a 4 pin, consentendo il fissaggio diretto a un dissipatore di calore o a un telaio per una migliore conduzione termica.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 53 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZC120R053M2HXKSA1
- MOSFET Infineon 204 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZC120R078M2HXKSA1
- MOSFET Infineon 40 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZC120R040M2HXKSA1
- MOSFET Infineon 89 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZC120R034M2HXKSA1
- MOSFET Infineon 69 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZC120R026M2HXKSA1
- MOSFET Infineon 22 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZC120R022M2HXKSA1
- MOSFET Infineon 45 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZC120R017M2HXKSA1
- MOSFET STMicroelectronics 30 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
