MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 30 mΩ Miglioramento, 91 A, 4 Pin, Hip-247, Foro passante SCTWA70N120G2V-4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-0475
Codice costruttore:
SCTWA70N120G2V-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

91A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

SCTWA70N120G2V-4

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Tensione diretta Vf

2.7V

Dissipazione di potenza massima Pd

547W

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

15.6mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

34.8mm

Altezza

5mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

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