MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 1200 V, 19.2 mΩ Miglioramento, 90 A, 4 Pin, Hip-247-4, Foro

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Codice RS:
719-469
Codice costruttore:
SCT019W120G3-4AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT019

Tipo di package

Hip-247-4

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-10 to 22 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Dissipazione di potenza massima Pd

486W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

2.8V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

15.9 mm

Lunghezza

21.1mm

Altezza

5.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Elevate prestazioni di commutazione

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

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