MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 1200 V, 27 mΩ Miglioramento, 56 A, 4 Pin, Hip-247-4, Foro passante

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Codice RS:
719-470
Codice costruttore:
SCT025W120G3-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Hip-247-4

Serie

Sct

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

2.7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Dissipazione di potenza massima Pd

388W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

25.27mm

Lunghezza

15.9mm

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Elevate prestazioni di commutazione

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Capacità di temperatura di esercizio molto elevata (TJ pari a 200 °C)

Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

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