MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 40 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, Hip-247-4, Superficie SCT040W120G3-4

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Codice RS:
214-958
Codice costruttore:
SCT040W120G3-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

Hip-247-4

Serie

SCT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2kV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-10V, 22V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

312W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

RoHS, ECOPACK2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

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