MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 21 mΩ Miglioramento, 91 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTW70N120G2V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-3024
Codice costruttore:
SCTW70N120G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

91A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCTW70N

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

547W

Tensione diretta Vf

2.7V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Altezza

20.15mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SIC consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard del settore con una capacità termica notevolmente migliorata. Queste caratteristiche rendono il dispositivo perfettamente adatto per applicazioni ad alta efficienza ed elevata densità di potenza.

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

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