MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 21 mΩ Miglioramento, 91 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCTW70N120G2V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-3024
Codice costruttore:
SCTW70N120G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

91A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

SCTW70N

Tipo di package

Hip-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

547W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

2.7V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

15.75mm

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.15mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SIC consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard del settore con una capacità termica notevolmente migliorata. Queste caratteristiche rendono il dispositivo perfettamente adatto per applicazioni ad alta efficienza ed elevata densità di potenza.

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

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