MOSFET Infineon, canale N 2 kV, 106 mΩ Miglioramento, 34 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante
- Codice RS:
- 349-113
- Codice costruttore:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
19,42 €
(IVA esclusa)
23,69 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 180 unità in spedizione dal 16 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 19,42 € |
| 10 - 99 | 17,48 € |
| 100 + | 16,12 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-113
- Codice costruttore:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 2kV | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 106mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 64nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 267W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 2kV | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 106mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 64nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 267W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon serie CoolSiC, corrente di drenaggio continua massima 34 A, tensione di sorgente di drenaggio massima 2000 V - IMYH200R075M1HXKSA1
Questo MOSFET è un transistor di potenza in carburo di silicio progettato per la commutazione ad alta tensione in ambienti industriali e di conversione di potenza impegnativi. Funziona su un ampio intervallo di temperatura ed è alloggiato in un pacchetto multi-cavo a foro passante adatto per un robusto assemblaggio e gestione del calore. Il dispositivo è progettato per applicazioni che richiedono una notevole gestione continua della corrente e una dissipazione di potenza elevata.
Caratteristiche e vantaggi:
• Capacità di drenaggio 2000 V che consente la commutazione ad altissima tensione
• Corrente di drenaggio continua di 34 A per un'erogazione di potenza sostenuta
• Dissipazione di potenza massima di 267 W che favorisce la progettazione termica
• Rds(on) di 106 mΩ per ridurre le perdite di conduzione in percorsi ad alta corrente
• Carica gate tipica di 64 nC per un'energia di commutazione prevedibile
• Il modello PG-TO-247-4-PLUS-NT14 a foro passante semplifica l'integrazione del dissipatore
• Corrente di drenaggio continua di 34 A per un'erogazione di potenza sostenuta
• Dissipazione di potenza massima di 267 W che favorisce la progettazione termica
• Rds(on) di 106 mΩ per ridurre le perdite di conduzione in percorsi ad alta corrente
• Carica gate tipica di 64 nC per un'energia di commutazione prevedibile
• Il modello PG-TO-247-4-PLUS-NT14 a foro passante semplifica l'integrazione del dissipatore
Applicazioni
• Adatto per convertitori e inverter ad alta tensione
• Ideale per le fasi di potenza dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per alimentatori switching ad alta potenza
• Può essere utilizzato per l'elettronica di potenza a energia rinnovabile
• Adatto per moduli di trazione e di potenza per impieghi gravosi
• Ideale per le fasi di potenza dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per alimentatori switching ad alta potenza
• Può essere utilizzato per l'elettronica di potenza a energia rinnovabile
• Adatto per moduli di trazione e di potenza per impieghi gravosi
Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare durante il pilotaggio?
Il valore nominale gate-source è di ±20 V, pertanto i circuiti gate-drive devono limitare le escursioni all'interno di questo intervallo per evitare lo stress da ossido gate.
Come fa il dispositivo a gestire gli ambienti termici difficili?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo ai progetti di tollerare ampie oscillazioni di temperatura ambiente e di giunzione.
Quale configurazione dei pin e approccio di montaggio utilizza?
Il componente viene fornito in un pacchetto a fori passanti PG-TO-247-4-PLUS-NT14 a quattro cavi, che consente un montaggio sicuro del circuito stampato e un fissaggio diretto ai dissipatori.
Esistono restrizioni ambientali o materiali per l'uso?
È conforme alla direttiva RoHS, quindi è conforme ai requisiti dei materiali senza piombo per gli assemblaggi elettronici.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 60 A PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante IMYH200R012M1HXKSA1
- MOSFET Infineon 142 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 70 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 35 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 40 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZC120R040M2HXKSA1
- MOSFET Infineon 18 mΩ 4 Pin Foro passante IPZA65R018CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 56 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZA120R030M1HXKSA1
- MOSFET Infineon 53 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IMZC120R053M2HXKSA1