MOSFET Infineon, canale Tipo N 2000 V, 106 mΩ Miglioramento, 34 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante
- Codice RS:
- 349-113
- Codice costruttore:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-113
- Codice costruttore:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 2000V | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 106mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 267W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 64nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 2000V | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 106mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 267W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 64nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET Trench SiC CoolSiC Infineon da 2000 V è un MOSFET in carburo di silicio ad alte prestazioni dotato di tecnologia di interconnessione .XT per migliorare le prestazioni termiche ed elettriche. Con una tensione di soglia del gate di riferimento (VGS(th)) di 4,5 V, il dispositivo offre una commutazione affidabile ed efficiente, che lo rende ideale per le applicazioni di potenza ad alta tensione. Questo MOSFET offre prestazioni superiori, garantendo un'eccellente efficienza e un funzionamento robusto anche in ambienti difficili.
Perdite di commutazione molto basse
Diodo intrinseco robusto per hard switching
Conforme alla direttiva RoHS
Privo di alogeni