MOSFET Infineon, canale Tipo N 2000 V, 70 mΩ Miglioramento, 48 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante
- Codice RS:
- 349-111
- Codice costruttore:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
42,45 €
(IVA esclusa)
51,79 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 209 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 42,45 € |
| 10 - 99 | 38,20 € |
| 100 + | 35,23 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-111
- Codice costruttore:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 48A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 2000V | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 70mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 348W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 82nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 48A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 2000V | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 348W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 82nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET Trench SiC CoolSiC Infineon da 2000 V è un MOSFET in carburo di silicio ad alte prestazioni dotato di tecnologia di interconnessione .XT per migliorare le prestazioni termiche ed elettriche. Con una tensione di soglia del gate di riferimento (VGS(th)) di 4,5 V, il dispositivo offre una commutazione affidabile ed efficiente, che lo rende ideale per le applicazioni di potenza ad alta tensione. Questo MOSFET offre prestazioni superiori, garantendo un'eccellente efficienza e un funzionamento robusto anche in ambienti difficili.
Perdite di commutazione molto basse
Diodo intrinseco robusto per hard switching
Conforme alla direttiva RoHS
Privo di alogeni