MOSFET Infineon, canale N 2 kV, 70 mΩ Miglioramento, 48 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante
- Codice RS:
- 349-111
- Codice costruttore:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-111
- Codice costruttore:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 48A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 2kV | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 70mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 82nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 348W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 48A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 2kV | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 82nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 348W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon serie CoolSiC, tensione massima della sorgente di drenaggio di 2000 V, corrente di drenaggio continua massima di 48 A - IMYH200R050M1HXKSA1
Questo MOSFET è un transistor di potenza in carburo di silicio progettato per la commutazione ad alta tensione in sistemi elettrici impegnativi. Funziona come dispositivo di potenziamento a canale N progettato per il montaggio su scheda a foro passante ed è adatto per applicazioni che richiedono una tolleranza alle alte temperature e una notevole gestione della corrente continua.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drenaggio di 2000 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 48 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 70 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante la commutazione
• La carica gate tipica 82 nC consente una progettazione gate-drive prevedibile
• La dissipazione di potenza massima di 348 W gestisce carichi termici significativi
• Il pacchetto PG-TO-247-4-PLUS-NT14 a foro passante semplifica il dissipatore di calore
• La corrente di drenaggio continua di 48 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 70 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante la commutazione
• La carica gate tipica 82 nC consente una progettazione gate-drive prevedibile
• La dissipazione di potenza massima di 348 W gestisce carichi termici significativi
• Il pacchetto PG-TO-247-4-PLUS-NT14 a foro passante semplifica il dissipatore di calore
Applicazioni
• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Ideale per le fasi di potenza dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con circuiti di carica del condensatore ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la conversione CC-CC nelle apparecchiature di servizio pubblico
• Adatto per schede di valutazione dell'elettronica di potenza da laboratorio
• Ideale per le fasi di potenza dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con circuiti di carica del condensatore ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la conversione CC-CC nelle apparecchiature di servizio pubblico
• Adatto per schede di valutazione dell'elettronica di potenza da laboratorio
Quali limiti dell'azionamento del gate devo rispettare per un funzionamento sicuro?
La tensione gate-sorgente non deve superare 20 V
i driver gate devono essere progettati per rimanere entro questa soglia, compresa la soppressione dei transienti.
Come si comporta a temperature elevate?
È classificato per funzionare fino a una temperatura di giunzione di 175 °C
la gestione termica deve tenere conto della dissipazione di potenza massima specificata per evitare la dispersione termica.
Quali sono le considerazioni di montaggio necessarie per il controllo termico?
Il contenitore a fori passanti PG-TO-247-4-PLUS-NT14 a quattro pin consente un fissaggio meccanico robusto e un interfacciamento diretto con un dissipatore per un'efficiente rimozione del calore.
Esistono limitazioni sul campo di funzionamento ambientale?
Il dispositivo è specificato fino a una temperatura d'esercizio minima di -55 °C, pertanto i progetti devono adattarsi a questo limite inferiore per gli scenari di avvio a freddo.
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