MOSFET Infineon, canale Tipo N 2000 V, 70 mΩ Miglioramento, 48 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante

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Codice RS:
349-111
Codice costruttore:
IMYH200R050M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

2000V

Tipo di package

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

82nC

Dissipazione di potenza massima Pd

348W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET Trench SiC CoolSiC Infineon da 2000 V è un MOSFET in carburo di silicio ad alte prestazioni dotato di tecnologia di interconnessione .XT per migliorare le prestazioni termiche ed elettriche. Con una tensione di soglia del gate di riferimento (VGS(th)) di 4,5 V, il dispositivo offre una commutazione affidabile ed efficiente, che lo rende ideale per le applicazioni di potenza ad alta tensione. Questo MOSFET offre prestazioni superiori, garantendo un'eccellente efficienza e un funzionamento robusto anche in ambienti difficili.

Perdite di commutazione molto basse

Diodo intrinseco robusto per hard switching

Conforme alla direttiva RoHS

Privo di alogeni

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