MOSFET Infineon, canale Tipo N 2000 V, 35 mΩ Miglioramento, 89 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante

Il MOSFET Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench rappresenta una soluzione all'avanguardia progettata per applicazioni ad alte prestazioni. Progettato con la tecnologia di interconnessione avanzata .XT, garantisce una gestione termica e un'efficienza ottimali, il che lo rende ideale per gli ambienti più difficili. Con un robusto diodo di corpo, il MOSFET eccelle in condizioni di commutazione difficili, garantendo un funzionamento affidabile in varie applicazioni, tra cui inverter di stringa e sistemi di ricarica EV. Le sue impressionanti specifiche, tra cui una corrente di drain continua fino a 89 A, sottolineano la sua capacità di gestire carichi di potenza significativi, mentre le sue basse perdite di commutazione contribuiscono all'efficienza complessiva del sistema. Questo dispositivo è stato rigorosamente convalidato per applicazioni industriali, garantendo la conformità agli standard industriali e l'affidabilità.

Funziona ad alta tensione di 2000 V