MOSFET Infineon, canale N 2 kV, 35 mΩ Miglioramento, 89 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante
- Codice RS:
- 284-864
- Codice costruttore:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- IMYH200R024M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 89A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 2kV | |
| Serie | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 35mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 576W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 137nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 89A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 2kV | ||
Serie CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 35mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 576W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 137nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET della serie Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench, tensione massima della sorgente di drenaggio di 2000 V, corrente di drenaggio continua massima di 89 A - IMYH200R024M1HXKSA1
Questo MOSFET è un transistor di potenza in carburo di silicio progettato per la commutazione ad alta tensione in ambienti di potenza-elettronica impegnativi. Funziona come dispositivo di potenziamento a canale N ed è fornito in un contenitore PG-TO-247-4 a foro passante che facilita il montaggio robusto e la rimozione del calore negli assemblaggi industriali. Il componente è destinato ad applicazioni che richiedono elevate tensioni di blocco e una gestione della corrente prolungata in un ampio intervallo di temperatura.
Caratteristiche e vantaggi:
• resistenza drain-source di 2000 V per sistemi ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 89 A per il funzionamento con carichi pesanti
• Rds(on) di 35 mΩ per ridurre al minimo le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 576 W per una resistenza termica
• Carica gate tipica di 137 nC a Vgs per informare le dimensioni dell'unità
• Funziona da -55 °C a 175 °C per margini di temperatura estesi
• Corrente di drenaggio continua di 89 A per il funzionamento con carichi pesanti
• Rds(on) di 35 mΩ per ridurre al minimo le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza massima di 576 W per una resistenza termica
• Carica gate tipica di 137 nC a Vgs per informare le dimensioni dell'unità
• Funziona da -55 °C a 175 °C per margini di temperatura estesi
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di alta tensione degli inverter di trazione
• Ideale per apparecchiature di conversione di potenza su scala di utility
• Utilizzato con moduli convertitore CC-CC ad alta tensione
• Può essere utilizzato per azionamenti e controllori di motori industriali
• Adatto per progetti di interruttori a stato solido
• Ideale per apparecchiature di conversione di potenza su scala di utility
• Utilizzato con moduli convertitore CC-CC ad alta tensione
• Può essere utilizzato per azionamenti e controllori di motori industriali
• Adatto per progetti di interruttori a stato solido
Quale formato di montaggio richiede per l'assemblaggio?
È fornito in un contenitore a foro passante PG-TO-247-4 che richiede un dissipatore compatibile e un montaggio fisso per ottenere una dissipazione di potenza specifica.
Quali limitazioni dell'azionamento del gate devono essere osservate?
La tensione massima da gate a sorgente è di 20 V, pertanto i driver gate devono limitare Vgs a questo valore per evitare danni.
Come si comporta termicamente il dispositivo a carichi elevati?
Il transistor può dissipare fino a 576 W con un raffreddamento appropriato
la gestione termica deve essere progettata per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti operativi.
È adatto per progetti di livello automobilistico?
Non è specificato per soddisfare gli standard automobilistici e non deve essere selezionato nei casi in cui è richiesta una qualifica automobilistica.
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