MOSFET Infineon, canale N 2 kV, 142 mΩ Miglioramento, 26 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante
- Codice RS:
- 349-114
- Codice costruttore:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-114
- Codice costruttore:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 26A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 2kV | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 142mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 55nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 217W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 26A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 2kV | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 142mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 55nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 217W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon serie CoolSiC, tensione di sorgente di drenaggio 2000 V, corrente di drenaggio continua 26 A - IMYH200R100M1HXKSA1
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N in carburo di silicio progettato per la commutazione ad alta tensione in sistemi elettronici impegnativi. Offre una soluzione robusta per la conversione o il controllo di grandi tensioni e correnti in implementazioni a foro passante, funzionando su un intervallo di temperatura ambiente esteso per l'uso in ambienti difficili.
Caratteristiche e vantaggi:
• La resistenza drain-source di 2000 V semplifica i progetti ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 26 A supporta l'erogazione di potenza sostenuta
• La dissipazione di potenza massima di 217 W aiuta la pianificazione del margine termico
• L'Rds(on) di 142 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica di gate tipica di 55 nC consente di gestire l'energia di azionamento
• Il contenitore PG-TO-247-4-PLUS-NT14 a foro passante facilita il montaggio e il raffreddamento
• La corrente di drenaggio continua di 26 A supporta l'erogazione di potenza sostenuta
• La dissipazione di potenza massima di 217 W aiuta la pianificazione del margine termico
• L'Rds(on) di 142 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica di gate tipica di 55 nC consente di gestire l'energia di azionamento
• Il contenitore PG-TO-247-4-PLUS-NT14 a foro passante facilita il montaggio e il raffreddamento
Applicazioni
• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Ideale per le fasi di potenza dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con circuiti di accumulo di energia e interfaccia a griglia
• Può essere utilizzato per apparecchiature di test e misurazione ad alta tensione
• Adatto per moduli elettronici di trazione e di potenza per impieghi gravosi
• Ideale per le fasi di potenza dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con circuiti di accumulo di energia e interfaccia a griglia
• Può essere utilizzato per apparecchiature di test e misurazione ad alta tensione
• Adatto per moduli elettronici di trazione e di potenza per impieghi gravosi
Quale tensione nominale e polarità devono aspettarsi i progettisti per la commutazione?
Il dispositivo è classificato per resistere a 2000 V tra il drenaggio e la sorgente ed è configurato come un transistor a canale N, pertanto i progetti devono tenere conto del gioco ad alta tensione e del riferimento gate-drive appropriato.
In che modo l'energia dell'azionamento del gate influisce sulla selezione del gate driver?
Con una carica gate tipica di 55 nC, i driver gate devono essere scelti per fornire una corrente di picco sufficiente a raggiungere la velocità di commutazione richiesta, controllando al contempo dv/dt per limitare lo stress elettromagnetico.
Quali sono le considerazioni termiche necessarie per un funzionamento affidabile?
Il componente dissipa fino a 217 W in condizioni specifiche, pertanto la gestione termica, compreso il dissipatore e la conducibilità termica del circuito stampato, deve essere progettata per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti.
Quale approccio di montaggio supporta il pacchetto e quali sono le implicazioni?
Il formato a foro passante PG-TO-247-4-PLUS-NT14 facilita la stabilità meccanica e il fissaggio diretto del dissipatore, semplificando l'assemblaggio per le applicazioni ad alta potenza.
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