MOSFET Infineon, canale Tipo N 2000 V, 142 mΩ Miglioramento, 26 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante

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Codice RS:
349-114
Codice costruttore:
IMYH200R100M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

2000V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

142mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

217W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET Trench SiC CoolSiC Infineon da 2000 V è un MOSFET in carburo di silicio ad alte prestazioni dotato di tecnologia di interconnessione .XT per migliorare le prestazioni termiche ed elettriche. Con una tensione di soglia del gate di riferimento (VGS(th)) di 4,5 V, il dispositivo offre una commutazione affidabile ed efficiente, che lo rende ideale per le applicazioni di potenza ad alta tensione. Questo MOSFET offre prestazioni superiori, garantendo un'eccellente efficienza e un funzionamento robusto anche in ambienti difficili.

Perdite di commutazione molto basse

Diodo intrinseco robusto per hard switching

Conforme alla direttiva RoHS

Privo di alogeni

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