MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 142 mΩ Miglioramento, 20 A, 4 Pin, TO-247-4, Foro passante

Il Infineon è dotato di MOSFET SiC che offre prestazioni affidabili ed economiche in un contenitore TO247 a 4 pin. La tecnologia MOSFET CoolSiC sfrutta le forti caratteristiche fisiche del carburo di silicio, aggiungendo caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d'uso del dispositivo. Il MOSFET 650V è costruito su un semiconduttore trench all'avanguardia, ottimizzato per non consentire compromessi nel ottenere sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità nel funzionamento.

Basse capacità