MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 142 mΩ Miglioramento, 20 A, 4 Pin, TO-247-4, Foro passante IMZA65R107M1HXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
232-0417
Codice costruttore:
IMZA65R107M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

142mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Infineon è dotato di MOSFET SiC che offre prestazioni affidabili ed economiche in un contenitore TO247 a 4 pin. La tecnologia MOSFET CoolSiC sfrutta le forti caratteristiche fisiche del carburo di silicio, aggiungendo caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d'uso del dispositivo. Il MOSFET 650V è costruito su un semiconduttore trench all'avanguardia, ottimizzato per non consentire compromessi nel ottenere sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità nel funzionamento.

Basse capacità

Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate

Eccellente affidabilità dell'ossido di gate

Eccellente comportamento termico

Maggiore capacità con effetto valanga

Funziona con i driver standard

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