MOSFET Infineon, canale Tipo N 2000 V Miglioramento, 60 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante

Il MOSFET Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench si distingue come componente ad alte prestazioni progettato per le applicazioni più esigenti. Grazie alla tecnologia avanzata in carburo di silicio, offre un'eccezionale efficienza e prestazioni termiche, il che lo rende ideale per l'uso nei moderni sistemi di alimentazione. Grazie a una struttura robusta e a caratteristiche innovative, questo dispositivo garantisce l'affidabilità in diverse applicazioni, tra cui gli inverter di stringa, l'ottimizzazione dell'energia solare e la ricarica dei veicoli elettrici. Il MOSFET, accuratamente progettato, si adatta in modo ottimale agli ambienti ad alta tensione, offrendo vantaggi operativi superiori sia per l'uso industriale che commerciale. La sua tecnologia di interconnessione avanzata contribuisce ulteriormente alla sua prestigiosa reputazione sul mercato, consentendo una durata prolungata del dispositivo e funzionalità di gestione dell'alimentazione migliorate.

Offre basse perdite di commutazione per una maggiore efficienza