MOSFET Infineon, canale Tipo N 2000 V, 35 mΩ Miglioramento, 89 A, 4 Pin, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, Foro passante
- Codice RS:
- 284-862
- Codice costruttore:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
2432,70 €
(IVA esclusa)
2967,90 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 60 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 81,09 € | 2.432,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-862
- Codice costruttore:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 89A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 2000V | |
| Tipo di package | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 35mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 576W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 137nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 89A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 2000V | ||
Tipo di package PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 35mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 576W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 137nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench rappresenta una soluzione all'avanguardia progettata per applicazioni ad alte prestazioni. Progettato con la tecnologia di interconnessione avanzata .XT, garantisce una gestione termica e un'efficienza ottimali, il che lo rende ideale per gli ambienti più difficili. Con un robusto diodo di corpo, il MOSFET eccelle in condizioni di commutazione difficili, garantendo un funzionamento affidabile in varie applicazioni, tra cui inverter di stringa e sistemi di ricarica EV. Le sue impressionanti specifiche, tra cui una corrente di drain continua fino a 89 A, sottolineano la sua capacità di gestire carichi di potenza significativi, mentre le sue basse perdite di commutazione contribuiscono all'efficienza complessiva del sistema. Questo dispositivo è stato rigorosamente convalidato per applicazioni industriali, garantendo la conformità agli standard industriali e l'affidabilità.
Funziona ad alta tensione di 2000 V
Resistenza di stato molto bassa per garantire l'efficienza
Tensione di soglia del gate di riferimento per le prestazioni
Funzionamento robusto grazie al diodo di corpo ben progettato
Convalidato per l'uso industriale attraverso i test JEDEC
Supporta prestazioni termiche ottimali attraverso la progettazione