MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 45 mΩ Miglioramento, 52 A, 4 Pin, TO-247 IMZ120R045M1XKSA1
- Codice RS:
- 222-4865
- Codice costruttore:
- IMZ120R045M1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
10,44 €
(IVA esclusa)
12,74 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 355 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 10,44 € |
| 5 - 9 | 9,93 € |
| 10 - 24 | 9,51 € |
| 25 - 49 | 9,08 € |
| 50 + | 8,46 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4865
- Codice costruttore:
- IMZ120R045M1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 52A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | IMZ1 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 52A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie IMZ1 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET SiC Infineon CoolSiC™ 1200 V, 45 mΩ in contenitore TO247-4 realizzato su un processo semiconduttore trench all'avanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi.
Commutazione e perdite di conduzione migliori della categoria
Tensione di soglia benchmark alta, Vth > 4 V.
Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice
Ampia gamma di tensione gate-source
Diodo corpo robusto e a bassa perdita con valore nominale per la commutazione rigida