MOSFET Infineon, canale N, 45 m.Ω, 52 A, TO-247, Su foro

MOSFET SiC Infineon CoolSiC™ 1200 V, 45 mΩ in contenitore TO247-3 basato su un processo semiconduttore trench-semiconduttore all'avanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi. Questi includono la carica di gate più bassa e i livelli di capacità del dispositivo visti negli interruttori a 1200 V, nessuna perdita di recupero inverso del diodo corpo a prova di commutazione interna, basse perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura, e caratteristica di stato attivo senza soglia. I MOSFET CoolSiC™ sono ideali per topologie a commutazione dura e risonante come circuiti di correzione del fattore di potenza (PFC), topologie bidirezionali e convertitori c.c.-c.c. o inverter c.c.-c.a.

Commutazione e perdite di conduzione migliori della categoria
Tensione di soglia benchmark alta, Vth > 4 V.
Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice
Ampia gamma di tensione gate-source
Diodo corpo robusto e a bassa perdita con valore nominale per la commutazione rigida
Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura