MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 35 mΩ Miglioramento, 52 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante AIMW120R035M1HXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-3487
Codice costruttore:
AIMW120R035M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

5.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Dissipazione di potenza massima Pd

228W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.3mm

Larghezza

21.5 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET Infineon CoolSiC per applicazioni automobilistiche sono stati sviluppati per caricabatterie di bordo e applicazioni c.c.-c.c. attuali e future in veicoli ibridi ed elettrici. Ha una corrente di drain di 52 A.

Miglioramento dell'efficienza

Attivazione di una frequenza più elevata

Densità di potenza aumentata

Riduzione dello sforzo di raffreddamento

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