MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 35 mΩ Miglioramento, 52 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante AIMW120R035M1HXKSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

29,54 €

(IVA esclusa)

36,04 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 172 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 129,54 €
2 - 428,07 €
5 - 926,88 €
10 - 2425,70 €
25 +23,93 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-3487
Codice costruttore:
AIMW120R035M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

228W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Tensione diretta Vf

5.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET Infineon CoolSiC per applicazioni automobilistiche sono stati sviluppati per caricabatterie di bordo e applicazioni c.c.-c.c. attuali e future in veicoli ibridi ed elettrici. Ha una corrente di drain di 52 A.

Miglioramento dell'efficienza

Attivazione di una frequenza più elevata

Densità di potenza aumentata

Riduzione dello sforzo di raffreddamento

Link consigliati