MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 35 mΩ Miglioramento, 52 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante AIMW120R035M1HXKSA1

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Codice RS:
233-3486
Codice costruttore:
AIMW120R035M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

CoolSiC

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

228W

Tensione diretta Vf

5.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

21.5mm

Altezza

5.3mm

Lunghezza

16.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET Infineon CoolSiC per applicazioni automobilistiche sono stati sviluppati per caricabatterie di bordo e applicazioni c.c.-c.c. attuali e future in veicoli ibridi ed elettrici. Ha una corrente di drain di 52 A.

Miglioramento dell'efficienza

Attivazione di una frequenza più elevata

Densità di potenza aumentata

Riduzione dello sforzo di raffreddamento

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